什么是igbt？igbt和逆变器是什么关系？igbt的工作原理是什么？绝缘IGBT(IGBT)是一种功率半导体器件，它结合了场效应晶体管(MOSFET)和BJT(双极结型晶体管)的优点。什么是IGBT？它是做什么的。

绝缘栅双极型功率晶体管是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，兼具MOSFET输入阻抗高和GTR导通压降小的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。

IGBT电路是由IGBT及其外围元件组成的电路。IGBT是一种电子元件，它分别吸收了双极晶体管CE结导通后压降小和MOS晶体管电压驱动特性的优点，可以实现电压驱动的微功耗和低导通压降。目前已广泛应用于各种大功率电子设备中，如逆变焊机、UPS、电磁炉、稳压电源等。IGBT的开关作用是通过加正向栅压形成沟道，为PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。

IGBT逆变器的工作原理:太阳能电池板发出的电能通过IGBT开关转换成具有较强DC分量的50HZ DC交流电，经过电抗器和电容器滤波后，再滤波成相对正的交流波形，再经变压器升压后并入电网。逆变器是将直流电能(电池、蓄电池)转换成交流电(一般为220V、50Hz正弦波)。它由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成。广泛应用于空调、家庭影院、电动砂轮、电动工具、缝纫机、DVD、vcd、电脑、电视、洗衣机、油烟机、冰箱、录像机、按摩器、风扇、照明等。

IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的英文缩写。绝缘栅双极晶体管。IGBT是垂直功率MOSFET的自然演变，适用于大电流和高电压应用以及快速终端设备。因为需要源极-漏极沟道来实现更高的击穿电压BVDSS，但是该沟道具有高电阻率，这导致功率MOSFET具有高RDS(on)值。IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

与标准双极性器件相比，更低的压降、转换为低VCE(sat)的能力以及IGBT的结构可以支持更高的电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT的基本结构在图1的纵剖面和等效电路中示出。IGBT硅片的结构与功率MOSFET非常相似，主要区别是IGBT增加了一个P衬底和一个N缓冲层(这部分不是NPT非穿通IGBT技术增加的)。

IGBT是继MOS晶体管之后的新一代开关元件，相当于串联了一个MOS晶体管和一个BJT。见百度百科。IGBT的主要特点是开通速度快，可以瞬间达到大电流驱动的最后阶段，栅极电压可以控制开关。因为是MOS管的栅极，输入电阻大。总的来说，它结合了MOS管和BJT的优点。但缺点是关断时间慢。目前，IGBT已广泛应用于分立器件和集成电路产品中，是电源应用中最重要的器件之一。

igbt工作原理igbt(绝缘双极晶体管)是一种功率半导体器件，具有结合场效应晶体管(MOSFET)和BJT(BipolarJunctionTransistor)优点的特点。IGBT的工作原理类似于BJT，通过控制栅极电流来控制流经基极和集电极的电流，但其控制电路与普通BJT有很大不同，采用的是MOSFET的控制方式。

当通过栅极的电流增大时，沟道区的电流密度增大，导致载流子的产生，进而导致通过基极集电极的电流形成pn结。当栅极电压为0时，IGBT关闭，因此IGBT可以控制通过基极和集电极的电流。一般来说，IGBT是一种半导体器件，兼具BJT和MOSFET的优点，可以工作在很高的频率，对于大功率应用特别有效，比如功率变换器、高压DC变换等等。

【IGBT与逆变器的关系】IGBT只是逆变器中使用的功率器件，与逆变器配合完成将DC能量转换为交流电的功能。【逆变器】是将直流电能(电池、蓄电池)转化为交流电(一般为220V、50Hz正弦波)的电子装置。它由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成。【IGBT】是insulated bipolar transistor的缩写，InsulatedGateBipolarTransistor是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件。

GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压，非常适用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。