越是平平无奇的电子电路，越是需要谨慎。一个简单的气泵驱动电路，看起来没什么特别的，一个三极管加上一个P沟道的MOS管驱动一个气泵，当MCU给PUMPCTRL一个高电平，MOS管的G极被拉到低电平，PMOS管导通，6V给到气泵正极，当MCU给PUMPCTRL一个低电平，MOS管的G极被拉到高电平，PMOS管截止，这里有一个需要注意的地方，驱动气泵加压需要用到的PWM信号，而且这个PWM信号的开关频率比较高，需要用到能够快速开通和关断的三级管和MOS管，原理图中DTC114和IRLML6402具有1MHz以上的开关速度，适用于高速PWM控制。
1、谈谈三极管MOS管的结构导通条件用法工作参数在单片机系统中有哪些...三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V；锗管加0.2V。集电结加反向电压，就是在集电结的PN结上加反压Ube才能把基区的电荷吸引过来、。此电压较高，在手机中一般为1~3.6V。PNP三极管的导通电压是Ue>Ub>Uc；NPN三极管为Uc>Ub>Ue。
2、mos管散热问题以及搭电路的一些问题怎么能用双面胶呢！用导热硅呀！双面胶会增大热阻的，不利于散热！粗线焊接时候很不方便用端子排呀！万能板？是面包板吧！有专门的导线呀，两头有插头的。长短都有，能买到的。用细导线也行。不能太粗，和一般电阻管脚差不多粗也行。1，MOS管并联时，S脚串联一只0。
3、主要是mos管(场效应管首先，mos导通需要的条件是Vgs>Vth(on)，即大于开启电压。所以你先确定你用的mos的开启电压是多少。我看你的仿真图好像是用proteus画的，选用一个用15v电压能开启的mos。根据你描述的现象，还有一种可能就是是否是Q1导通了，但是电压是30v，很大哦，以致将D2反向导通。请查看D2的反向电压是多少。
4、开关mos管选型需要注意哪些参数能承受的最大关断电压（留一定阈值），关断与开通损耗，能承受的最大温升（考虑整体散热）。1，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds，又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。