8N60可以用6N607N608N6011N60和其他场效应晶体管如6N607N608N6011N60代替。可以用6N607N608N6011N60等其他场效应晶体管代替，如何通过拆下8N60和数字万用表来测量GFP5n60场效应晶体管的质量？如何判断5n60c管的好坏判断5n60c管好坏的方法如下:1，用数字万用表二极管正向测量5N60C的DS极。

检查输出电路470uf的电容是否损坏，损坏的电容还可以闪烁为红灯和绿灯。然后检查输出电路470uf/63v电容。拆下8N60，换上100W灯泡的保险丝，打开电源。3842的6脚和7脚电压抖动分别在2 V和12 V左右，基本说明3842工作正常。否则问题出在3842附近的高压部分。如果正常，检查一下变压器的后极，6脚也有1 V，如果感觉有点低，可以检查一下周围的电阻变化。

8n60基本参数(1)晶体管极性:N(2)漏极电流，Id最大值:7.5A(3)电压，Vds最大值:600V(4)通态电阻，Rds(on):1.2ohm(5)电压@Rds测量:10V(6)。

5n60c灯管判断如下:1。用数字万用表二极管正向测量5N60C的DS极。首先将万用表的量程开关拨到二极管位置，悬空5N60C的G极，用红色和黑色的探针分别接触5N60C的DS极。如果管好，万用表会显示“OL”，就是溢出。2.然后换红黑探针，再测DS极。万用表显示的读数是硅二极管的正向压降。如果MOS FET中DG极间寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时万用表显示的读数接近于零，完好时会显示压降。

4.更换红色和黑色探针，用万用表电阻档测量5N60C的DS极之间的反向电阻为67.2ω。数字万用表的分辨率:分辨率是指一个仪表测量结果的质量。知道一个米的分辨率，就能知道是否能看到被测信号的细微变化。例如，如果数字万用表在4V范围内的分辨率为1mV，则在测量1V的信号时，可以看到1mV(1/1000伏特)的微小变化。

1。数字万用表使用二极管齿轮“蜂鸣器齿轮”。用两个探针随意接触FET的三个管脚，好的FET最后的测量结果只有一个读数，大概是500。2、5n60场效应晶体管，N沟道形状，600V4.5A参数，可以用6N607N608N6011N60等场效应晶体管代替。3.场效应管的字正对着人，GDS被安排好了。第一个是G栅，第二个是D漏，第三个是S源。

DS之间有一个寄生二极管(S→D)。扩展资料:场效应晶体管1的作用。场效应晶体管可用于放大。因为FET放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容可以很小，所以不需要使用电解电容。2.FET的高输入阻抗非常适合阻抗变换。它常用于多级放大器输入级的阻抗变换。3.FET可以用作可变电阻。4.FET可以方便地用作恒流源。5.场效应晶体管可以用作电子开关。

电动车充电器，如何用保护来衡量质量？教你一个简单实用的方法。这个测试:1。充电时，充电指示灯会闪烁，表示是脉冲式的，有修复电池的功能；2、给旧电池充电，可以正常关灯；3.选择知名品牌厂家的产品。符合以上三点，是一款优秀的充电器。只需要做一个假负载，一个电子负载，模拟电池缺电充足的状态。几秒钟就能判断出来。充电器有什么好测试的？基本上不全是一百块。一般是检查电池好不好。一般充电器没什么大问题。

触摸FET的三个管脚，好的FET的zhi最终测量结果约为500mV。如果有短路，可以用触针的金属部分短接三个插针，继续测量。如果读数为500毫伏，则正常。5n60场效应晶体管，N沟道形状，600V4.5A参数，可以用6N607N608N6011N60等场效应晶体管代替。场效应晶体管这个词正对着人们和GDS排列。第一个是G栅，第二个是D漏，第三个是S源。

DS之间有一个寄生二极管(S→D)。扩展数据:分辨率分辨率是判断一个表格的测量结果。知道一个米的分辨率，就能知道是否能看到被测信号的微小变化。例如，如果数字万用表在4V范围内的分辨率为1mV，当测量1V的信号时，您可以看到1mV(1/1000伏特)的微小变化。如果你想测量小于1/4英寸(或1毫米)的长度，你肯定不会用最小单位为英寸(或厘米)的尺子。

5n60场效应晶体管，N沟道形状，600V4.5A参数，可以用6N607N608N6011N60，等待更换，数字万用表使用二极管档位，两个探针随意接触场效应晶体管的三个引脚。好的场效应晶体管最后的测量结果只有一个读数，大概是500，如果最终测量结果只有一个读数，而且是“0”，就需要用铁笔短接场效应管的管脚，然后再测量一次。如果另一组读数在500左右，该管也是好管。