场效应晶体管，所以输入电阻不如mos场效应晶体管。如何区分P型和N型mos FET？MOS FET分为J型、增强型和耗尽型，当栅压为零时，有较大的漏电流，称为耗尽型，即耗尽型场效应晶体管，当栅压为零时，有较大的漏电流，称为耗尽型，即耗尽型场效应晶体管，增强型FET和耗尽型FET的区别如下:1 .不同的工作模式。2.当没有施加栅源电压时，耗尽型场效应晶体管的漏极和源极的耗尽层不能导通，栅源电压只能为正；3.增强型FET可以导通，栅极-源极电压可以是正的或负的。

功率MOS管各参数详细说明如下:简介MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；与普通双极晶体管相比，MOS晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗低、易于集成等优点，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越广泛的应用。

你说的工作是什么意思？就是发挥作用，发挥我们希望它实现的功能的作用，当然也就是说要上。从结构上看，N沟道耗尽型MOS晶体管与N沟道增强型MOS晶体管基本相似，唯一不同的是当栅源间电压为vGS0时，耗尽型MOS晶体管中漏源间存在导电沟道，而增强型MOS晶体管直到vGS≥VT才出现。原因是在制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2 _ 2绝缘层中掺杂了大量碱金属正离子Na或K(制造P沟道耗尽型MOS管时掺杂了负离子)，如图1(a)所示。因此，即使在vGS0，在这些正离子产生的电场的作用下，漏极和源极之间的P型衬底表面也能感应出N沟道(称为初始沟道)。只要加上直流电压vDS，就会有电流iD。

这个很简单。关键在于MOS管的结构和工作原理。你的缺点是不太了解MOS晶体管的工作原理。n沟道晶体管，衬底是B，而且是P型半导体，B接源极s，当GS为正电压时，G带正电，会把衬底中更多的电子吸引到G的对面(不会达到G，因为衬底和G之间有绝缘栅，这就是MOS管名字的由来)， 从而增厚反型层(增强反型层和耗尽型的区别在于，增强反型层只会在UGS > UGS (th)时产生，而耗尽型，UGS0。

绝缘栅场效应晶体管的n沟道耗尽模式解释，通过三个步骤来演示:第一，当栅源之间没有电压时，由于导电沟道引导的存在，漏源之间存在导通；二是在栅源之间提供负电压时，电子远离，空穴返回，漏源被切断；再次形成导电通道。1.以不同的方式工作。当栅压为零时，有较大的漏电流，称为耗尽型，即耗尽型场效应晶体管。当栅极电压为零时，漏极电流也为零，一定的栅极电压后必须加上漏极电流，称为增强型场效应晶体管。

场效应晶体管的工作原理，一句话就是“流经漏源之间沟道的ID受栅极和沟道之间pn结形成的反向偏置栅极电压控制”。更准确地说，ID流过的沟道的宽度，即沟道的横截面积，是由pn结反向偏置的变化来控制的，导致耗尽层的膨胀变化。在VGS0的不饱和区，由于过渡层的膨胀不是很大，根据施加在漏极和源极之间的VDS电场，源区的一些电子被漏极拉走，即有电流ID从漏极流向源极。

这种状态称为夹断。这意味着过渡层阻挡了一部分通道，但电流没有被切断。注意。该电路结合了增强型P沟道MOS FET和增强型N沟道MOS FET。当输入端为低电平时，P沟道MOS FET导通，输出端随电源正极导通。当输入端为高电平时，N沟道MOS FET导通，输出端与电源地相连。在这个电路中，P沟道MOS FET和N沟道MOS FET总是工作在相反的状态，它们的相位输入和输出是相反的。

MOS FET分为J型、增强型和耗尽型。一般来说，N沟道是导电沟道，N型半导体和P沟道是P型半导体，然后我们就可以区分栅极压降是正还是负。Mos FET在金属栅极和沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此它具有非常高的输入电阻。结型场效应晶体管的栅极电压控制由栅极和沟道之间的反向偏置pn结形成。所以输入电阻不如mos FET。MOS FET分为J型，增强型，耗尽型，你问哪个？

一般来说，N沟道是导电沟道和N型半导体，P沟道是P型半导体，然后你就可以区分栅极压降是正还是负了。可以找一个绿色的电子电路基础，很清晰，有图表，还有通道是怎么形成的。或者可以买个蓝皮的CMOS集成电路设计，第二章也很清楚。如果还是不懂，最好先学习一下《半导体原理》和《半导体器件物理》这两本书。这对理解通道是如何形成的非常有帮助。

增强型FET和耗尽型FET的区别如下:1。不同的工作模式，当栅压为零时，有较大的漏电流，称为耗尽型，即耗尽型场效应晶体管。当栅极电压为零时，漏极电流也为零，一定的栅极电压后必须加上漏极电流，称为增强型场效应晶体管，2.当没有施加栅源电压时，耗尽型场效应晶体管的漏极和源极的耗尽层不能导通，栅源电压只能为正；3.增强型FET可以导通，栅极-源极电压可以是正的或负的。