Emmc等长要求1、数据线数据注:其实CMOS静态反相器相当于一个非门！SRAMcell6T相当于SR latch(即RS触发器)6T:由六个晶体管组成，如M1、M2、M3、M4、M5、M6。SRAM中的每一位都存储在由四个场效应晶体管(M1、M2、M3、M4)组成的两个交叉耦合反相器中，另外两个场效应晶体管(M5、M6)是控制开关，用于将基本单元存储到位线中以进行读取和写入。

SRAM的基本单元由两个CMOS反相器组成。两个反相器的输入和输出交叉连接，即第一反相器的输出与第二反相器的输入连接，第二反相器的输出与第一反相器的输入连接。这样就实现了两个反相器输出状态的锁定和保存，即存储一位的状态。除了6晶体管SRAM，其他SRAM每比特有8个晶体管、10个晶体管甚至更多的晶体管。这可以用来实现多端口读写访问，如视频存储器或寄存器文件的多端口SRAM电路的实现。

SRAM芯片的存储容量为64k*16位，芯片有16条地址线和16条数据线。存储容量的计算公式为:2 n，其中n代表地址线的数量。2 1665536，在电脑里，据说它的存储容量最多可以扩展到64K。内存芯片容量单元数×数据线数，所以一个64k*16位芯片有16条数据线。SRAM中文意思是静态随机存取存储器，是随机存取存储器的一种。

相反，存储在动态随机存取存储器(DRAM)中的数据需要定期更新。但是，当电源停止时，SRAM中存储的数据仍然会消失(称为volatilememory)，这与rom或flash存储器不同，它们可以在断电后存储数据。扩展数据SRAM的主要用途:SRAM主要用于Level2Cache。它使用晶体管来存储数据。

就山地车的禧玛诺和SRAM指拨和反拨的占线率而言，有以下特点:1。禧玛诺的卷取比为1:2.5，即指拨移动1 mm，背拨移动2.5 mm..这种设计使得换挡时后摆比指法有更大的移动距离，因此需要更多的空间来容纳后摆的移动。这种设计在SRAM的后拨中并不常见，因为SRAM的后拨通常采用1:1的占用比。

1。SRAM芯片的存储容量为64k*16位，芯片有16条地址线和16条数据线。存储容量的计算公式为:2 n，其中n代表地址线的数量。2 1665536，在电脑里，据说它的存储容量最多可以扩展到64K。2的22次方是4M，位宽是8，所以是4MB。比如1024×8表示数据有8位，即有8条数据线；10242 10，所以有10条地址线；

如果是8位，则是14条地址线和8条数据线。3.对于10248位容量的SRAM芯片，读写至少需要14条地址线和至少8条数据线，还需要一些控制线和辅助引脚。所以芯片的管脚数会多于22个，但是具体的管脚数只能参考芯片的数据手册或者说明书来确定。4，位数据线对于每个地址可以有一个字节的存储空间。14位地址空间中有2个1416384地址。

1、数据线DATA[07]要(基本上)等长(包括芯片内部线长)，线要短，线间距要按照3W的原则控制，参考面要完整(参考面以下最好不要走其他高速信号线)，阻抗控制在50欧姆(不低于10%)。2.时钟线EMMC_CLK(基本上)应该和数据线一样长，而且要封装处理。参考平面要完整(参考平面以下最好不要走其他高速信号线)，阻抗控制在50欧姆(不低于10%)。

EMMC _ cmd和EMMC _ DQS信号线要(基本上)和数据线一样长，线要短，线间距要按照3W的原则控制，参考面要完整(参考面以下最好不要走其他高速信号线)，阻抗控制在50欧姆(不低于10%)。4、这一点要记住::A、EMMC型号版本不同，要确认自己的版本，要确认原理图封装和PCB封装的引脚号和引脚定义要一一对应。