什么是13003 13003c？晶体管13003是中功率NPN晶体管，SB13003400v，开关管13003和13003D的主要区别是封装形式不同。13003的封装形式是内嵌to 126:to 126:13003d的封装形式是SMD TO252，由于封装形式不同，性能参数略有不同，13003的基本参数。

首先看两个三极管的工作状态。两个三极管在发射极结正向偏置，在集电极结反向偏置，工作在放大状态。在白噪声的影响下，某一时刻产生一定频率的信号，加载到三极管13003上。经晶体管13003放大后，在80T的初级输入端为负载产生一个大信号，由12T的初级端捕获，在12T的初级端有一个信号，其中正信号经过一个10欧姆的电阻，然后到与晶体管c945的B极相连的二极管，加到C945的B极。类似地，负信号被加到E极。

c和E产生较大的电信号，c945的发射极接13003的发射极(虽然经过电阻，但作为信号区别不大)。当c945的集电极接13003的基极时，c945的输出就是13003的输入，信号也就是变化的电流不断加强，形成一个循环。在变压器的次级产生具有一定频率的电压，该电压被整流以形成DC。电路上方82k电阻4700pf的电容构成了一个选频效果较弱的RC选频网络，为了使整个电路更加稳定，选择的频率在413Hz左右。

不是说大功率不行，中功率管可以考虑，用限流电阻和普通三极管差不多。具体电阻值需要根据你使用的驱动电源电压来判断。一般来说，使基极电流达到200 mA以上就足够了。13003是小功率管，高压小功率管，你得确定电阻的大小才能选择色环，或者根据色环选择电阻。MJE13003是中功率高压晶体管，耐压约600V，最大工作电流约3 A，常用于电子振荡器中。

可互换，后者比前者更强大，也就是说后者替代前者没问题，前者替代后者要看用在什么地方。Sb13003400V，1.5A，14W。NPNJ 13009400V，12A，100W，NPN参数相差很大，可以换小一点的。sb 13003:vceo 400v；Vcbo700VIc1.5APc1.5W(不带散热器)50W(带足够散热器)j 13009:vceo 400v；

我也遇到过类似的问题。芯片周边元器件都正常测量，芯片没有震动。个人感觉问题可能出在芯片上。做一个简单的分析，仅供参考:如你所说“THX201的VCC端可以测到6V左右，但IC的VR端几乎没有电压，说明IC没有启动，但不合理的一点是“C2两端的DC电压约为211V”。如果真像你描述的那样，只是211V而不是311V，只有一种可能，L1接触有问题或者断线；

12v稳压电路对调节管要求不高，只要功率和电流不过分，就没有问题。13003常用于荧光灯的电子镇流器，耐压高，集电极电流1.5A，分立元件的稳压器基本已经淘汰。线性稳压电源有很多现成的集成块，也有很多新的稳压芯片，体积小，效率高。我们应该采用新的芯片，这些芯片简单、优越、高效。

原因是分压电阻功率过大，导致输入管基极电流过大或管的放大倍数过大。先试试13005或者13007。这个管(带适当的散热片)也是高压三极管，属于1300*系列，承受的功率更大。如果不工作，我们必须更换基极电阻。开关管13003和13003D的主要区别在于不同的封装形式。开关管13003的封装形式是直插式TO126交换机TO126:13003D的封装形式是patch TO252。由于封装形式不同，性能参数略有不同。开关管13003的基本参数是Ic1.5A，Vceo400V，Pc20W，HFE840。

13003是中功率NPN晶体管，主要用作功率开关。NPN晶体管是晶体管的一种，当基极点B的电位比发射极点E的电位高十分之几伏特时，发射极结处于正向偏置状态，而当集电极点C的电位比B点的电位高几伏特时，集电极结处于反向偏置状态，集电极电源Ec高于基极电源Ebo。扩展数据制造过程设计1，首先在ATHENA中定义一个0.8um*1.0um的硅区作为衬底，在其中掺杂浓度为2.0e16/cm3的均匀砷杂质。然后在衬底上注入能量为18ev、浓度为4.5e15/cm3的掺杂杂质硼，退火，沉积一层厚度为0.3um的多晶硅，沉积完成后，立即对多晶硅进行能量为50ev的掺杂，浓度为7.5e15/cm3的砷杂质，接着刻蚀多晶硅栅(刻蚀位置为0.2um)，此时形成N型杂质(发射极区)。