IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件.就是把两种不同类型晶复合成一个器件，用电压控制型场效应管驱动三极两结的三极管，是以微弱电流控制大电流的电力开关器件，可用于可控整流、娈频、变压、变流、无触点开关等，是重要的电力电子器件，已经应用了几十年了，枝术上，能生产晶体管，就能生产IGBT，技术含量不高。
1、双极型晶体管、结型场效应管和绝缘栅型场效应管图形符号的区别(?由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。
2、比较场效应管与双极型晶体管的特点一般场效应管是压控器件，就是电压控制其导通双极型晶体管是电流来控制，进行放大。场效应管是利用栅极电场的作用来工作的；是一种载流子多数载流子工作的器件；在电流的主要通路（沟道）上不存在pn结；输入电阻接近无穷大；输入端不需要电流驱动，只需要电压即可，即是电压驱动的器件，输入回路简单等。双极型管是利用pn结注入载流子来工作的；
3、什么是单极型晶体管和双极型晶体管?一、单极型晶体管单极型晶体管也称场效应管，简称FET(FieldEffectTransistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。特点：输入电阻高，可达107~1015Ω，绝缘栅型场效应管(IGFET)可高达1015Ω。
分类：根据材料的不同可分为结型场效应管JFET(JunctionFieldEffectTransistor)和绝缘栅型场效应管IGFET(InsulatedGateFET)。二、双极型晶体管双极型晶体管也称晶体三极管，它是一种电流控制型器件，由输入电流控制输出电流，其本身具有电流放大作用，它工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称为双极型三极管。