N沟道增强型场效应管防接反电路。由场效应管制作工艺决定了，场效应管的导通电阻比较小，是现在很常用的开关器件，特别是在大功率的场合，以TO-252封装的IRFR1205为例，其主要参数如下：Vdss=55V，Id=44A，Rds=0.027欧姆可以看到其导通电阻只有27毫欧，下图就是一个用N沟道场效应管构成的防接反电。

漏极源极间流经沟道的ID，用栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压进行控制；将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。

将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

方案1要用P沟道场管，IRF640N是N沟道的，不能用，还要求PLC的OC端能承受24V电压，这点可能不行。方案2用N沟道场管，IRF640N可行。两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。向左转|向右转场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。举个例子:做一个场效应管的的开关电路，控制25w24v的电磁铁，电源直流24v，信号电压8v，最低1，7v，信号和输出都是两个，一个离合，一个刹车，交替运行每秒大约5次。

实用电路如下图（用n沟道的增强型mos管电路形式最为简洁，选一款通态电阻小的mos管，耐压不必高，额定电流够了就行）。1、串联电阻不需要计算，取一个大点的数值就可以，因为场效应管输入阻抗很高。2、也许3.3V电压太低，不能使场效应管开启。解决方案：（1）在P1.0到电源之间接一个5K的上拉电阻，看看行不行。（2）如果不行，说明3.3V电压太低，不能使场效应管开启。

如果坚持使用场效应管，需要中间增加一级三极管电路。用1只9014，集电极接栅极，栅极接电阻R35（改成510K），再接电源；9014发射极接地；9014基极接P1.0，P1.0到电源之间接一个10K的上拉电阻，此时低电平有效，不再是原来设计的高电平有效。3、记得好像小功率管可以互换，不知道大功率管可以不。