继续分享电工学基础第73期，即PN节的单向导电性。1、PN节在外加电压的情况下，半导体中的扩散和漂移处于动态平衡，如图8-9所示，如果所加的电压是正向电压，外电场和内电场的方向相反，因此这种平衡被破坏，外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，同时N区的自由电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷，于是，整个空间电荷区变窄，内电场被削弱，多数载流子的扩散运动增强，形成较大的扩散电流。

空穴和电子虽然带有不同极性的电荷，但由于它们的运动方向相反，所以电流方向一致。外电源不断地向半导体提供电荷，使电流得以维持。2、若给PN节加上反向电压，即外电源的正极接N区，负端接P区，如图8-10所示。则外电场与内电场方向一致，也破坏了扩散和漂移运动的平衡。外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走，使得空间电荷增加，空间电荷区变宽，内电场增强，使多数载流子的扩散运动难以进行。

呵呵还是个基本概念你没搞清，三极管的结构确定只是说明放大倍数在一定环境下就确定了。而三极管产生的电流大小还是当然会随结偏压改变啊。三极管任然是PN结的组合，只是E区高参杂，B区低参杂并且B区很薄。PN结的电流当然是随着外加电压改变了，从能量守恒看bjt放大信号获得的能量来自直流电源提供的能量。首先，你连PN结概念还是没搞清楚，照你的理解PN结的电流都成固定大小了。

然后关于基区和集电极电流：基区b区的电流（以NPN管为列），有两部分：一部分：是从e区到达b区的电子中有少部分（因为b区很薄）电子和b区的空穴复合形成的电流第二部分：b区会有少量（因为低参杂）空穴，向e区扩散形成电流集电区c区的电流也是两部分：一部分：大部分从e区到达b区又没有复合的电子继续向c运动形成。

发射结正偏，集电结反偏。总的原理就是发射结正偏，硅管一般放大时0.60.7V左右，集电结反偏。偏置电压的设定是一个复杂的计算过程，这和电路的静态工作点有关，也就是和电路的参数有关，如常见的共发射极放大电路，三极管的集电极就是供电脚，除了要设置合适的供电电阻之外，还要确定偏置电阻的大小，此外要想得到一个比较好的放大电路，还要引入负反馈电阻。

三极管的放大原理以NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大一般要求的工作条件：BE结正偏置，硅管一般放大时0.60.7V左右，实际工作时通过电阻分压或控制基级电阻来实现，CB结反偏，一般这个电压会比BE结电压高几倍以上。在集电级一般是需要串联电阻或感性负载的，原理1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。